TYPE-C電源適配器的失效分析方法五
紅外顯微鏡分析技術
紅外顯微鏡的結構與金相顯微鏡相似，但紅外顯微鏡采用接近紅外腐蝕源作為光源，并用紅外成像進行觀察的分析技術。由于TYPE-C電源適配器所使用的半導體材料主要由鍺和硅等組成，鍺和硅等材料及薄金屬層對紅外光是透明的，所以紅外顯微鏡具有金相顯微鏡所無法比擬的優點。利用紅外顯微鏡，不用剖開器件內部就能觀察到芯片內部的缺陷和芯片焊接情況。紅外顯微鏡特別適合塑膠封裝半導體器件的失效分析。
紅外顯微鏡分析法是利用紅外顯微技術對微電子器件的微小面積進行高精度非接觸測溫的方法。器件的工作情況及失效會通過熱效應反映出來，例如，器件設計不恰當、材料缺陷及工藝差錯等都會造成器件內部溫度不均勻，局部小區域溫度比平均溫度高得多，這種集中熱點直接影響器件的安全使用和壽命。找出這些熱點，并用非接觸式方法高精度地測出溫度，對于TYPE-C電源適配器產品的合理設計、制造工藝流程控制及失效分析和可靠性檢驗等，都具有十分重要的意義。
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