TYPE-C電源適配器的失效分析方法四
光學顯微鏡分析技術
光學顯微鏡是進行電子元器件、半導體器件和集成電路失效分析的主要工具之一。在TYPE-C電源適配器失效分析中使用的光學顯微鏡主要有立體顯微鏡和金相顯微鏡。立體顯微鏡的放大倍數較低，從幾倍到上百倍，但景深大；金相顯微鏡的放大倍數較高，從幾十倍到一千多倍，但景深較小。立體顯微鏡的放大倍數是連續可調的，而金相顯微鏡可通過變換不同倍數的物鏡來改變顯微鏡的放大倍數，以適應觀察不同對象的需要。立體顯微鏡和金相顯微鏡結合使用，可用來進行元器件的外觀以及失效部位的表面形狀、分布、尺寸、組織、結構、缺陷和應力下的各種燒毀與擊穿現象、引線內外結合情況、芯片裂縫、玷污、劃傷、氧化層缺陷及金屬層腐蝕情況等。
立體顯微鏡和金相顯微鏡除了放大倍數不同外，其結構、成像原理及使用方法都基本相似。它們均是用目鏡和物鏡組合來成像的，立體顯微鏡一般成正像，而金相顯微鏡所成的像是倒像。像的放大倍數是目鏡和物鏡兩者放大倍數之積。立體顯微鏡和金相顯微鏡均有入射和投射兩種照相方式，并且配有 一些輔助裝置，可提供明場、暗場、微分干涉相襯和偏振等觀察手段，以適應不同觀察的需要。此外，還配有照相裝置以進行圖像記錄。
在金相顯微鏡的觀察中，type-c電源適配器樣品的制備是非常重要的，應根據觀察的目的選取制備適當的觀察面，使所要觀察的缺陷與觀察面相交。有時，還要選取適當的顯示劑，以保證所選平面上的缺陷能被清晰地顯示出來。如果觀察面選取不當，則有時會觀察不到所要觀察的缺陷。例如，當觀察、分析芯片內部的缺陷或測量結深時，由于所要觀察的區域是很狹小的，采用直角剖切方法不足以分析所要觀察的界面區域，就應該采用具有放大作用的斜角剖截面的方法。
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